α-Mg3Sb2的电子结构和力学性能

• 作者: 丁文江 余伟阳 唐壁玉 彭立明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: α-Mg3Sb2 第一性原理 电子结构 力学性能
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 216-223
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 3924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.z1.036

摘要

运用第一性原理研究了Mg-Sb合金中典型沉淀相α-Mg3Sb2的几何、电子结构和力学性能.结构优化得到的晶格常数和形成能与实验值符合很好.电子结构分析表明,具有半导体性质的α-Mg3Sb2带隙为0.303 eV,是间接带隙半导体.通过计算得到了α-Mg3Sb2的弹性常数,进而得到模量、泊松比等力学参数,对力学参数进行分析发现,α-Mg3Sb2有很好的延展性而塑性相对较差.通过对α-Mg3Sb2施加应变前后态密度的变化分析,发现对于六角结构的α-Mg3Sb2,与剪切模量相关的C11+C12,C33/2和与体模量相关的C11+C12+2C13+C33/2对体积变化不保守,而(C11-C12)/4和C44对体积变化保守.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁文江	上海交通大学材料科学与技术学院轻合金精密成型国家工程研究中心	307	8863	54.0	83.0
2	彭立明	上海交通大学材料科学与技术学院轻合金精密成型国家工程研究中心	37	523	12.0	22.0
3	唐壁玉	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室	9	43	3.0	6.0
7	余伟阳	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室	3	13	1.0	3.0