Si在TiAl3中取代行为的第一性原理研究

• 作者: 孙宝德 戴永兵 王俊 疏达 祝国梁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 第一性原理 电子结构 TiAl3
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 210-215
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.z1.035

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Si原子在TiAl3中的格点取代行为.通过对不同原子被置换后的c/a值、形成能以及电子态密度的计算和比较,发现Si原子倾向于取代TiAl3中的Al原子,其取代行为主要由系统的电子结构决定,计算结果与实验相符.为了进一步研究Si原子的取代行为,对Si原子占据的格点以松散或紧凑分布下体系的总能、形成能以及电子态密度进行了计算,结果表明Si原子倾向于取代TiAl3中松散分布的Al(2)原子.对c/a值的计算表明,随Al(2)格点Si原子浓度的增加,c/a值逐渐增大;而当Si取代Al(1)格点时,c/a值随Si原子浓度的增加而减小.研究表明,Si在TiAl3中的极限固溶度介于12.5at%-18.75at%之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	212	2230	25.0	37.0
2	孙宝德	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	172	2649	29.0	41.0
3	疏达	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	55	621	15.0	22.0
4	戴永兵	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	21	170	7.0	12.0
5	祝国梁	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	8	32	2.0	5.0