W及以上波段MMIC放大器的研究进展

• 作者: 李和委
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹 微波单片集成电路 放大器 高电子迁移率晶体管 磷化铟 锑
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 626-630
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TN304.23
• 字数: 3442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.02

摘要

在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和SbHEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性.针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李和委	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	17	1.0	2.0