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摘要:
设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TsMC 0.25 μm CMOS工艺.在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度.在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点PtdB-10.65 dBm,lIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配.并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图.
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文献信息
篇名 2.1 GHz射频CMOS混频器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 射频集成电路 CMOS混频器 阻抗匹配 线性度
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目 纳米、固态及真空电子器件
研究方向 页码范围 338-342,346
页数 6页 分类号 TN492
字数 689字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李恩玲 西安理工大学理学院 35 246 9.0 13.0
2 王雪 西安理工大学理学院 7 36 3.0 5.0
3 苑永霞 西安理工大学理学院 3 23 2.0 3.0
4 褚蒙 西安理工大学理学院 2 15 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
射频集成电路
CMOS混频器
阻抗匹配
线性度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导