Sb掺杂ZnO纳米材料的研究进展

• 作者: 朱绍平 闫勇彦 马勇
• 来源期刊: 重庆科技学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 Sb掺杂 p型ZnO
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TF123
• 字数: 3427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1980.2009.04.023

摘要

ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料,其禁带宽度为3.37eV.Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、p型导电等方面具有优良的性质.介绍Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马勇		52	378	11.0	17.0
2	朱绍平		4	15	3.0	3.0
3	闫勇彦		6	32	4.0	5.0