退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响

• 作者: 刘伟 孙杰 张佳雯 方晓玲 晏春愉 权乃承 高斐
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge纳米晶 磁控溅射 退火 SiO2膜 声子限域模型
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 143-147
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2742字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构.结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750 ℃.运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸.通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高斐	陕西师范大学物理与信息技术学院	26	39	3.0	5.0
2	刘伟	陕西师范大学物理与信息技术学院	39	292	9.0	16.0
3	孙杰	陕西师范大学物理与信息技术学院	11	24	2.0	4.0
4	权乃承	陕西师范大学物理与信息技术学院	7	21	2.0	4.0
5	晏春愉	陕西师范大学物理与信息技术学院	8	22	3.0	4.0
6	张佳雯	陕西师范大学物理与信息技术学院	8	22	3.0	4.0
7	方晓玲	陕西师范大学物理与信息技术学院	8	21	3.0	4.0