AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)

• 作者: 李效白
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铝镓氯/氮化镓 异质结场效应管 二维电子气 自发极化 压电极化 电流崩塌 陷阱效应
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.01.002

摘要

从不同的视角回顾和研究了A1GaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题.阐述了非掺杂的AIGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态.2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系.揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌.指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李效白		6	15	2.0	3.0