射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

• 作者: 余厉阳 吕韶义 张海鹏 陈卫军 马里剑
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频功率放大器 SOILDMOS 计算机辅助设计与仿真 负载牵引法
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 基金项目论文
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893X.2009.03.009

摘要

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真.该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计.结果表明放大器的增益达到15 dB,输出功率达到25 dBm,功率附加效率大于40%.