部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置

• 作者: 刘梦新 卜建辉 胡爱斌 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 总剂量效应 最坏偏置 部分耗尽 辐照
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.01.019

摘要

通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究.模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏置与总剂量有关.当总剂量大时,背沟道的最坏偏置是OFF偏置;当总剂量小时则是TG偏置.而NMOSFET的最坏偏置则取决于起主要作用的是正栅还是背栅.由于辐照产生电子空穴对的过程与电场分布强相关,通过分析不同偏置下电场分布的差异确定最坏偏置的内在机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	卜建辉	中国科学院微电子研究所	4	8	2.0	2.0
3	刘梦新	中国科学院微电子研究所	16	70	5.0	7.0
4	胡爱斌	中国科学院微电子研究所	3	7	2.0	2.0