ULSI中多层Cu布线CMP表面粗糙度的分析和研究

• 作者: 刘效岩 刘玉岭 康海燕 张进 武彩霞 苏艳勤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 碱性抛光液 铜布线 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 730-733
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97|TN305.2
• 字数: 3732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.08.003

摘要

分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙度的影响.实验证明,在一定的抛光条件下,选用SiO2为磨料、双氧水为氧化剂的碱性抛光液可以有效降低Cu层的表面粗糙度,使之达到纳米级,得到良好的抛光效果,从而解决了超大规模集成电路多层Cu布线化学机械抛光中比较重要的技术问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子技术与材料研究所	20	133	8.0	10.0
3	张进	河北工业大学微电子技术与材料研究所	9	43	3.0	6.0
4	康海燕	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	28	3.0	4.0
5	武彩霞	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	28	3.0	4.0
6	苏艳勤	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	25	3.0	4.0