掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究

• 作者: 刘丽杰 蔡宁 薛俊明 赵静 赵颖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 掺杂 电学特性
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 772-776
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 2210字
• 语种: 中文

摘要

以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO: Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响.结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一.随Al: Zn原子比从0: 100变化至8.0: 100,电阻率呈现先递减后递增的规律.当Al: Zn原子比为4.0: 100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3 Ω·cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高.为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊明	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	26	157	7.0	11.0
2	赵颖	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	105	1195	16.0	33.0
3	赵静		4	26	3.0	4.0
4	蔡宁	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	8	24	3.0	4.0
5	刘丽杰	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	2	20	2.0	2.0