PECVD法硅基氮化硅薄膜的制备及其耐磨性研究

• 作者: 张德坤 王大刚
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 氮化硅 薄膜厚度 纳米硬度 耐磨寿命
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TH117.1
• 字数: 3375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2009.03.004

摘要

以N(111) 型的单晶硅片为基体,运用PECVD-2D等离子体化学气相淀积台在单晶硅片表面沉积氮化硅薄膜,通过薄膜颜色与厚度间的关系探讨了制备工艺参数对薄膜厚度的影响,用原位纳米力学测试系统对氮化硅薄膜的纳米硬度进行测定,在UMT-2型摩擦试验机上对不同制备工艺的硅基氮化硅薄膜进行耐磨寿命试验.结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜厚度逐渐递减,SiH4和N2流量比越大,薄膜厚度越大;温度越高,薄膜硬度越大,耐磨寿命越长;随着SiH4和N2流量比的增加,薄膜硬度和耐磨寿命均先增加后减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张德坤	中国矿业大学材料科学与工程学院	82	994	17.0	28.0
3	王大刚	中国矿业大学机电工程学院	9	89	5.0	9.0