肖特基器件用重掺As衬底上外延层过渡区控制

• 作者: 袁肇耿 赵丽霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 外延淀积 自掺杂 过渡区 杂质浓度
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光电器件技术)
• 页码范围: 439-441
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.011

摘要

掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求.讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素.通过一系列实验,找到了合理的生长条件,得到了完美的过渡区,解决了器件反向电压和正向压降之间的矛盾.在反向电压一致的条件下,正向压降平均降低了200 mV,产品整体成品率提高了两个百分点以上.研究结果已成功应用于大规模生产中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵丽霞		14	36	4.0	5.0
2	袁肇耿		8	36	4.0	6.0