缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO:Zr性能的影响

• 作者: 刘汉法 张化福 李雪 类成新 袁长坤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Zr薄膜 缓冲层 磁控溅射 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 490-493
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.025

摘要

利用直流磁控溅射法在有ZnO:Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO:Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208 nm.利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO:Zr薄膜的结构、形貌、电光性能.结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性.当缓冲层厚度从35 nm增加到103 nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小.而当缓冲层厚度从103 nm增加到208 nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大.当缓冲厚度为103 nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3 Ω·cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3 Ω·cm.实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO:Zr薄膜质量的一种有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪		3	6	1.0	2.0
2	刘汉法	山东理工大学物理与光电信息技术学院	57	316	11.0	13.0
3	张化福	山东理工大学物理与光电信息技术学院	52	292	11.0	13.0
4	类成新	山东理工大学物理与光电信息技术学院	48	201	8.0	10.0
5	袁长坤	山东理工大学物理与光电信息技术学院	23	126	6.0	10.0