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摘要:
采用直流反应磁控溅射法制备了厚度为500nm的氧化钒薄膜.采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析.结果表明,随薄膜刻蚀深度的增加,薄膜内的氧钒比及钒离子价态发生了递变,当薄膜刻蚀深度小于80nm时,这一递变趋势尤为明显.认为这与氧化钒薄膜中各价态钒氧化合物的稳定性和薄膜的制备工艺密切相关.
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文献信息
篇名 氧化钒薄膜成分及价态的深度刻蚀分析
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 氧化钒薄膜 深度刻蚀 成分 价态
年,卷(期) 2009,(22) 所属期刊栏目 材料研究
研究方向 页码范围 1-4
页数 4页 分类号 TN213
字数 3347字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.22.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴志明 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 78 544 13.0 17.0
2 蒋亚东 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 318 2024 18.0 25.0
3 田忠 电子科技大学电子科学技术研究院 37 160 7.0 11.0
4 贾宇明 电子科技大学电子科学技术研究院 14 70 3.0 8.0
5 廖家轩 电子科技大学电子科学技术研究院 22 106 7.0 8.0
6 魏雄邦 电子科技大学电子科学技术研究院 18 94 6.0 8.0
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材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
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16557
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86
总被引数(次)
145687
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