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摘要:
在LiNbO3(LN)中掺入摩尔分数分别为0,0.25%,1.5%,1.75%的In2O3、质量分数为0.1%的Fe2O3和0.05%的CuO,用提拉法生长了系列 In:Fe:Cu:LiNbO3(In:Fe:Cu:LN)晶体.采用Sanarmont补偿法和透射光束图像畸变法,测试In:Fe:Cu:LN晶体的光损伤阈值,基于Scalar表达式,讨论了晶 体光损阈值变化的机理.结果表明:3%In:0.1%Fe:0.05%Cu:LN晶体光损伤阈值比LN晶体高2个数量级,3%In3+达到阈值浓度.采用0.1%Fe:0.05%Cu:LN 晶体和0.5%In:0.1%Fe:0.05%Cu:LN晶体作为存储介质,Fe2+/Fe3+作为浅能级,Cu+/Cu2+作为深能级,以氪离了激光(蓝光)作开关光,氦-氖激光(红光)作为记录光,完成双光子固定非挥发性存储实验.实验表明:0.5%1n:0.1%Fe:0.05%Cu:LN晶体存储记录速度比Mn:Fe:LN晶体提高1个数量级.
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文献信息
篇名 In:Fe:Cu:LiNbO3晶体光损伤阈值和非挥发性全息存储
来源期刊 硅酸盐学报 学科 物理学
关键词 铟铁铜共掺铌酸锂晶体 光损伤阈值 非挥发性存储
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 研究论文,中文
研究方向 页码范围 819-822
页数 4页 分类号 O734
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.05.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘波 哈尔滨理工大学化学和环境工程学院 57 294 10.0 13.0
2 田海燕 哈尔滨理工大学化学和环境工程学院 16 25 3.0 4.0
3 毕建聪 哈尔滨理工大学化学和环境工程学院 10 9 2.0 2.0
4 徐玉恒 哈尔滨理工大学化学和环境工程学院 4 9 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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铟铁铜共掺铌酸锂晶体
光损伤阈值
非挥发性存储
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