用雪崩三极管电路生成高压负脉冲技术研究

• 作者: 吴侃 李新碗 邵冲
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩效应 脉冲形成 负脉冲 高压 高速
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 技术研发
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2009.05.030

摘要

雪崩效应因为能在极短时间内输出极大电流,常被用来设计高压脉冲电路.分析了利用雪崩三极管电路生成高压正脉冲的实现方案,并提出了改进的设计,接着分析了脉冲输出过程中负载回路的电流流向,通过改变信号输出点,设计了输出高压负脉冲的电路.电路输出的脉冲幅度达到了-200V,前沿约3.2ns.与相似结构的正脉冲电路相比,性能略有降低.同时对性能下降的原因进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李新碗	上海交通大学"区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室	55	281	8.0	14.0
2	吴侃	上海交通大学"区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室	5	4	1.0	2.0
3	邵冲	上海交通大学"区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室	3	15	2.0	3.0