图形蓝宝石基GaN性能的研究

• 作者: 冯玉春 彭冬生 牛憨笨 郑瑞生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN薄膜 性质 表面处理 MOCVD
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子器件及显示技术
• 页码范围: 237-240
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054|TN304.2|O484.1
• 字数: 2626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.001

摘要

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响.测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,x射线摇摆曲线中.其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电工程学院	19	103	7.0	9.0
2	郑瑞生	深圳大学光电工程学院	14	70	5.0	8.0
3	牛憨笨	深圳大学光电工程学院	71	772	13.0	25.0
4	彭冬生	深圳大学光电工程学院	11	47	4.0	6.0