喇曼光谱研究硅烷体积分数对Si薄膜结构影响

• 作者: 安雪川 张乾 张建新 张志彬 王师 阎殿然 高杨
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 喇曼光谱 玻璃封底 硅烷
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 158-160
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.014

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料.使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究.结果表明,随着硅烷体积分数的降低,Si薄膜沉积速率将会逐渐降低.当硅烷体积分数降到2%时,喇曼光谱检测到出现对应的晶体Si的吸收峰,而最初的非晶吸收峰位逐渐减弱.Si薄膜的结构实现了由非晶向微晶转变.随着硅烷体积分数进一步降低,结晶率不断提高,微晶比例进一步扩大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎殿然	河北工业大学材料科学与工程学院	81	717	16.0	21.0
2	高杨	河北工业大学材料科学与工程学院	8	77	5.0	8.0
3	张建新	河北工业大学材料科学与工程学院	45	348	10.0	15.0
4	张志彬	河北工业大学材料科学与工程学院	6	50	4.0	6.0
5	安雪川	河北工业大学材料科学与工程学院	4	18	3.0	4.0
6	张乾	河北工业大学材料科学与工程学院	6	25	4.0	4.0
7	王师	河北工业大学材料科学与工程学院	4	38	2.0	4.0