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稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te中的磁化率和自旋-玻璃转变
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te中的磁化率和自旋-玻璃转变
作者:
介万奇
栾丽君
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Hg0.89Mn0.11Te
磁化率
自旋-玻璃转变
冻结温度
摘要:
利用MPMS-XL型超导量子干涉仪 (superconducting quantum interference device, SQUID)对本实验室生长的Hg0.89Mn0.11Te 晶体的磁化强度和磁化率进行了研究.结果表明,Hg0.89Mn0.11Te在2 K恒温下,-0.5~0.5 kOe磁场范围内出现不可逆磁化. 在温度低于2.8 K时该晶体出现自旋-玻璃转变,以磁化率在冻结温度处出现拐点和低于冻结温度时磁化过程不可逆为主要鉴别特征.这是目前在该材料中发现的最小磁性离子浓度下限(渗透极限).
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文献信息
篇名
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te中的磁化率和自旋-玻璃转变
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
Hg0.89Mn0.11Te
磁化率
自旋-玻璃转变
冻结温度
年,卷(期)
2009,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
402-406
页数
5页
分类号
TG146
字数
3770字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
介万奇
西北工业大学材料学院
272
1636
19.0
27.0
2
栾丽君
西北工业大学材料学院
4
5
1.0
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研究主题发展历程
节点文献
Hg0.89Mn0.11Te
磁化率
自旋-玻璃转变
冻结温度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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