CMP中酸碱度对InSb晶片粗糙度的影响

• 作者: 刘效岩 刘玉岭 康海燕 杨伟平 武彩霞 苏艳勤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化铟 pH值 粗糙度 化学机械抛光 抛光液 原子力显微镜 有机碱 表面加工
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 734-736
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.08.004

摘要

InSb是一种重要的半导体材料.研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的抛光液.采用化学机械抛光(CMP)对InSb进行了表面加工,并在原子力显微镜下观测了抛光后晶片的表面粗糙度,找到了适宜InSb抛光的最佳pH值,从而达到降低InSb表面粗糙度的目的,最后分析和讨论了实验结果及其有机碱在CMP中的作用,最终实现了工艺参数的优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	杨伟平	河北工业大学微电子技术与材料研究所	3	11	2.0	3.0
3	刘效岩	河北工业大学微电子技术与材料研究所	20	133	8.0	10.0
4	康海燕	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	28	3.0	4.0
5	武彩霞	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	28	3.0	4.0
6	苏艳勤	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	25	3.0	4.0