静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 张科营 王园明 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 三维数值模拟 单粒子翻转 微束 宽束
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 8651-8656
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.083

摘要

针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微柬、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	姚志斌		35	171	8.0	10.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0
7	王园明		10	51	4.0	7.0