TFT_LCD驱动芯片GATE/SOURCE静电保护电路设计与实现

• 作者: 唐建东
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: TFT_LCD驱动芯片 ESD保护 击穿电压
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2009.06.029

摘要

文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路.ESD保护电路布局上,采用两排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通.在GATE保护电路中,采用二极管接法代替通用PMOS,防止电路产生Latch-up效应.SOURCE的保护电路中,NMOS的Drain设计了RPO(Resist Protection Oxide),使流经Drain的电流均匀分散,使二次击穿电压升高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐建东		14	54	4.0	7.0