ZnO压电薄膜的制备与性能表征

• 作者: 唐宁 彭洪勇 王金良 范超 许恒星
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 射频磁控溅射 压电性质 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 880-883
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1962字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分,表面形貌和压电性质.结果表明:实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质,c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响,高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金良	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	24	125	7.0	10.0
2	唐宁	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	3	23	3.0	3.0
3	许恒星	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	1	10	1.0	1.0
4	彭洪勇	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	2	12	2.0	2.0
5	范超	北京航空航天大学物理科学与核能工程学院	1	10	1.0	1.0