HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

• 作者: 介万奇 李高宏 许岗
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化汞 Au AuCl3 接触特性 I-V特性
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 1008-1011
• 页数: 4页
• 分类号: O561.1
• 字数: 2419字
• 语种: 中文

摘要

利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107 Ω和4.3×106 Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触.分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/ HgI2具有良好的欧姆接触特性.溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料科学与工程学院	272	1636	19.0	27.0
2	李高宏	西安工业大学材料与化工学院	46	379	10.0	17.0
3	许岗	西北工业大学材料科学与工程学院	5	12	2.0	3.0