(Bi2O3、ZnO)对(Zr0.8Sn0.2)TiO4介电性能的影响

• 作者: 刘光聪 刘相果 曾祥明 蹇胜勇
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: (Zr0.8Sn0.2)TiO4 添加剂 烧结性能 微观结构 介电性能
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 77-79
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2009.01.026

摘要

采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷.陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大.当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘相果		8	19	3.0	4.0
2	曾祥明		4	6	2.0	2.0
3	蹇胜勇		6	14	2.0	3.0
4	刘光聪		11	53	4.0	7.0