铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征

• 作者: 冯金晖 方小红 李巍 杨立 赵彦民
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 柔性
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 406-408
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2009.05.015

摘要

以厚度为25～70μm的钛箔为衬底.直流磁控溅射法制备0.8～1.2μm的底电极Mo薄膜,而后以Culn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-x-xGaxSe2薄膜.以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直流磁控溅射法制备上电极,制得结构为衬底Ti/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZAO/Al,其光电转换效率达到7.3%(25 ℃,AMO).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李巍	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	8	22	3.0	4.0
2	方小红	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	5	52	4.0	5.0
3	赵彦民	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	8	29	4.0	5.0
4	杨立	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	7	15	2.0	3.0
5	冯金晖	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	4	23	3.0	4.0