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摘要:
采用磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了ZnO薄膜.研究了薄膜的沉积速率、光电特性以及不同功率条件下制备的ZnO薄膜对HIT电池开路电压的影响.结果表明:在溅射功率为200 W时制备的薄膜,具有良好的导电性和光透过性;将其应用到HIT电池中,得到的开路电压最高.该研究对提高HIT电池性能具有一定的参考意义.
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文献信息
篇名 射频溅射功率对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 磁控溅射 ZnO薄膜 沉积速率 光电特性 HIT太阳电池
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 354-357
页数 4页 分类号 O484
字数 2747字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱拓 江南大学理学院 68 553 13.0 19.0
3 李果华 江南大学理学院 30 122 6.0 10.0
5 张光春 2 32 2.0 2.0
8 王永谦 尚德太阳能电力有限公司研发中心 2 20 1.0 2.0
9 陈肖静 江南大学理学院 2 29 2.0 2.0
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磁控溅射
ZnO薄膜
沉积速率
光电特性
HIT太阳电池
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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