多线切割工艺中晶片翘曲度的控制

• 作者: 林健
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 翘曲度 晶片 多线切割 逐点扫描 砂浆 切割线张力
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)
• 页码范围: 318-319,332
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2214字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.005

摘要

翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一.采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量.通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原因,并得出了翘曲度的分布规律.针对影响翘曲度的主要因素,根据其分布规律调整相应的切割工艺条件,可较好地控制晶片的翘曲度.虽是针对Si单晶加工中出现的实验情况进行分析,但该结论完全可用于Ge、GaAs等其他晶体的加工中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林健	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	29	3.0	5.0