AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨

• 作者: 倪友保 吴海信 毛明生 王振友 程干超 耿磊 黄飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AGGS晶体 介电性能 畴结构
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 1055-1058
• 页数: 4页
• 分类号: O738
• 字数: 2663字
• 语种: 中文

摘要

利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS_4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值.腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10 μm左右,证实AGGS为一热释电晶体.然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性.本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴海信	中国科学院安徽光学精密机械研究所	23	96	6.0	9.0
2	毛明生	中国科学院安徽光学精密机械研究所	10	61	6.0	7.0
3	程干超	中国科学院安徽光学精密机械研究所	12	82	6.0	9.0
4	王振友	中国科学院安徽光学精密机械研究所	16	60	4.0	7.0
5	倪友保	中国科学院安徽光学精密机械研究所	16	61	4.0	7.0
6	黄飞	中国科学院安徽光学精密机械研究所	22	246	8.0	15.0
7	耿磊	中国科学院安徽光学精密机械研究所	4	32	3.0	4.0