掺杂In和PbI_2的n-PbTe材料的研究

• 作者: Y.Gelbstein 于俊鹏 张建中 龙春泉
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: PbTe基材料 掺杂 热电性能
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 753-756
• 页数: 4页
• 分类号: TM913
• 字数: 2506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2009.09.003

摘要

在传统的掺杂卤族元素基础上掺杂一定的In元素,制备出高性能的n-PbTe基温差电材料;采用中频感应熔炼炉合金化得到均匀的基体,粉碎,然后在一定温度和压力下压制粉体得到样品锭块.测试了样品的热电性能,并且用场发射透射电镜对样品进行了微观分析,结果表明掺杂合适的Pbl2和In后,可以改善材料的热电性能,在一个较宽的温度范围内材料优值都保持一个较高的值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建中	中国电子科技集团公司第十八研究所	27	253	9.0	15.0
2	龙春泉	中国电子科技集团公司第十八研究所	2	0	0.0	0.0
3	于俊鹏	中国电子科技集团公司第十八研究所	2	14	1.0	2.0
4	Y.Gelbstein	以色列内盖夫区本-固立昂大学材料工程学院	1	0	0.0	0.0