本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响

• 作者: 万齐欣 刘国栋 李冬梅 熊志华 甘丽新
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ag掺杂ZnO 本征缺陷 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 1202-1206
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.44
• 字数: 2593字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究.研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级.同时,研究发现, Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大.其中,Zni-AgZn 呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势.因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国栋	江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室	29	169	8.0	11.0
2	甘丽新	江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室	18	171	7.0	13.0
3	万齐欣	江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室	3	27	3.0	3.0
4	李冬梅	江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室	3	27	3.0	3.0
5	熊志华	江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室	14	183	5.0	13.0