具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3．3kV IGBT3芯片技术

• 作者: Th. Stolze J. Biermann R. Spanke M. Pfaffenlehner
• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 具备更强机械性能 高功率IGBT模块 3.3kV IGBT3芯片技术
• 年，卷（期）: bpqsj_2009,（6）
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TP273

摘要

本文介绍了新一代IHM．B具备更强机械性能的高功率IGBT模块，其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHMB模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3．3kV IGBT3芯片，在保持机械兼容性的同时，极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Th. Stolze J. Biermann R. Spanke M. Pfaffenlehner		1	0	0.0	0.0