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基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
作者:
李智群
杨勇
王玉林
郝达兵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
计算机辅助设计技术
超突变结变容二极管
离子注入
注入-扩散法
工艺重复性
摘要:
根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率.采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用.
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文献信息
篇名
基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
计算机辅助设计技术
超突变结变容二极管
离子注入
注入-扩散法
工艺重复性
年,卷(期)
2009,(6)
所属期刊栏目
器件制造与应用
研究方向
页码范围
553-556
页数
4页
分类号
TN312.1
字数
2363字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李智群
东南大学集成电路学院
76
576
10.0
20.0
2
杨勇
中国电子科技集团公司第五十五研究所
52
961
18.0
30.0
6
王玉林
中国电子科技集团公司第五十五研究所
19
180
7.0
13.0
7
郝达兵
中国电子科技集团公司第五十五研究所
2
3
1.0
1.0
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2009(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
计算机辅助设计技术
超突变结变容二极管
离子注入
注入-扩散法
工艺重复性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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