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摘要:
根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率.采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用.
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文献信息
篇名 基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 计算机辅助设计技术 超突变结变容二极管 离子注入 注入-扩散法 工艺重复性
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 器件制造与应用
研究方向 页码范围 553-556
页数 4页 分类号 TN312.1
字数 2363字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李智群 东南大学集成电路学院 76 576 10.0 20.0
2 杨勇 中国电子科技集团公司第五十五研究所 52 961 18.0 30.0
6 王玉林 中国电子科技集团公司第五十五研究所 19 180 7.0 13.0
7 郝达兵 中国电子科技集团公司第五十五研究所 2 3 1.0 1.0
传播情况
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2009(0)
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研究主题发展历程
节点文献
计算机辅助设计技术
超突变结变容二极管
离子注入
注入-扩散法
工艺重复性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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