2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块

• 作者: Ayumi Maruta Mitsuharu Tabata
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模块/绝缘栅双极型晶体管 载流子储存的沟槽栅双极晶体管 风能
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 100-102
• 页数: 3页
• 分类号: TM32
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2009.10.038

摘要

介绍一种工业用2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块.在该大电流器件中,P端到N端的内部连线电感非常小.半导体硅片的巧妙布局有效地提高了模块的散热能力,采用铝底板直接连接绝缘基板来提高热循环能力.对于这种底板面积较大的器件,为了获得更好的底板和散热片之间的热接触.底板被分成几段.2.5 kA/1.2 kV两单元IGBT模块的封装同样适用于1.8 kA/1.7 V两单元IGBT模块.