AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究

• 作者: 吕长志 张小玲 张志国 李菲 李颖 段毅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 肖特基势垒高度 理想因子 温度 二维电子气
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 482-485
• 页数: 4页
• 分类号: TN311.8
• 字数: 3051字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.023

摘要

研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较.发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度下降,理想因子增加,其影响因素包括热电子发射、场发射、隧穿效应及复合电流效应等机制.而AlGaN/GaN异质结SBD由于受到压电极化场和2DEG和的影响,其势垒高度和理想因子随温度的变化趋势与AlGaNSBD相反.实验结果还显示,AlGaN/GaN异质结SBD的反向电流随着温度的上升,呈现先增大后减小的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信患与控制工程学院	60	471	12.0	18.0
2	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
3	张小玲	北京工业大学电子信患与控制工程学院	69	447	11.0	18.0
4	李颖	首钢工学院机电工程系	4	7	1.0	2.0
5	李菲	北京工业大学电子信患与控制工程学院	2	4	1.0	2.0
6	段毅	北京工业大学电子信患与控制工程学院	3	24	2.0	3.0