基于MEDICI的CMOS反相器SEL特性分析

• 作者: 师谦 汪俊 邓文基
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 单粒子闩锁 线能量传输 闩锁效应
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2009.06.013

摘要

文章利用计算机模拟的方法分析了不同衬底CMOS反相器的单粒子闩锁(SEL)特性,分别对不同衬底CMOS反相器在电极分布和输出不同的情况下进行了研究,首先在不同电极分布时,通过电闩锁对器件进行模拟,得出不同电极分布时器件的维持电压,然后进行SEL模拟,根据模拟结果,我们发现在维持电压最小的电极分布情况下,粒子入射到阱-衬底结时,输出低电平时,器件产生闩锁后N衬底器件比P衬底器件闩锁电流大,输出高电平时,器件产生闩锁后P衬底器件比N衬底器件的闩锁电流大.通过对不同衬底器件SEL阈值的测试,我们得到N衬底器件比P衬底器件对SEL敏感,器件输出高电平时比输出低电平对SEL略敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师谦		11	64	5.0	8.0