图形反转工艺用于金属层剥离的研究

• 作者: 吴志明 李伟 王军 蒋亚东 袁凯 陈德鹅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 AZ-5214 剥离工艺 图形反转 断面模拟
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光刻技术)
• 页码范围: 535-538
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.004

摘要

研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术.用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm.得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4 000 r/min,前烘温度100 ℃,时间60 s,曝光时间0.3 s,反转烘温度110℃,时间90 s,泛曝光时间2 s,显影时间50 s.用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	王军	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	936	14.0	26.0
3	李伟	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
4	袁凯	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
5	陈德鹅	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	23	2.0	2.0