DC～20 GHz宽带单片数控衰减器

• 作者: 刘志军 吴洪江 方园 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 衰减附加相移 微波单片集成电路 数控衰减器 电磁仿真
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 287-290
• 页数: 4页
• 分类号: TN715
• 字数: 1710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.03.023

摘要

介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标.工作频率为DC～20 GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5:1.通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行.最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标.电路尺寸为2.7 mm × 1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V,无直流功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	方园	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	23	4.0	4.0
4	刘志军	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	45	5.0	6.0