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摘要:
用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对钠基蒙脱土进行改性,并用红外光谱、X衍射对CTAB-NaMMT进行表征,制备了改性钠基蒙脱土修饰电极(CTAB-NaMMT-CMC/GCE),研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为.结果表明,在pH 0.8的H_2SO_4-Na_2SO_4电解质溶液中,SA在1.19 V出现一明显的氧化峰,在40 ~400 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率的平方根(v~(1/2))呈良好线性关系,表明电极过程为受扩散控制不可逆过程.测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别为2、2、0.389、1.275×10~(-6) cm~2/s.方波溶出伏安法的氧化峰电流(I_(pa))与SA浓度在8.0×10~(-7) ~1.25×10~(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系(r=-0.999 6),检出限为2.27×10~(-7) mol/L,加标回收率为96% ~101%.
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文献信息
篇名 水杨酸在改性钠基蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定
来源期刊 分析测试学报 学科 化学
关键词 钠基蒙脱土 十六烷基三甲基溴化铵 化学修饰电极 电化学行为 方波溶出伏安
年,卷(期) 2009,(12) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 1405-1409
页数 5页 分类号 O657.15
字数 3377字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4957.2009.12.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范向明 2 14 2.0 2.0
2 何晓英 2 14 2.0 2.0
3 张艳 2 14 2.0 2.0
4 李容 1 2 1.0 1.0
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1004-4957
44-1318/TH
大16开
广州市先烈中路100号
46-104
1982
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