采用第6代IGBT硅片的IGBT模块

• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模块/绝缘栅双极型晶体管 载流子存储式沟槽型双极型晶体管
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 器件及测试
• 页码范围: 85-86
• 页数: 2页
• 分类号: TM46
• 字数: 1633字
• 语种: 中文

摘要

从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片.其端子和电路结构具有前所未有的灵活性.在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能.介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2 kv第6代IGBT硅片技术.新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围.