Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究

• 作者: 杨冲 杨春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si(001)表面 硅氧团簇 密度泛函理论 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 5362-5369
• 页数: 8页
• 分类号: O56
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.037

摘要

在周期性边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的第一性原理广义梯度近似方法,对建立的规则对称型结构(A)、周期性非对称型结构(B)、周期性非对称型结构(C)、不规则型结构(D)四种可能的Si(001)表面硅氧团簇的结构模型进行了优化计算.结果表明优化后的表面结构呈无定形状,并且优化后的B,C,D三种模型的表面结构具有类似SiO2的四面体结构的几何特征.此外,通过电子局域函数图以及Mulliken布居分析发现硅氧团簇中的Si-O键既有明显的离子键成分,也有一定的共价键成分.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室	35	313	10.0	16.0
5	杨冲	四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室	2	4	1.0	2.0