CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质

• 作者: 安利民 宋维斯 曾庆辉 苏文辉 赵家龙
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 碲化镉 碲化镉/硫化镉 量子点 荧光寿命
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1789-1792
• 页数: 4页
• 分类号: O647.11
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2009.09.021

摘要

制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点, 利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术, 分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律. 发现了不同于CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象. 根据能带的位置关系, 随着CdS厚度的增加, CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构. 对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点, 不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合, 还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合, 发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加. 当壳层过厚时, 壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾庆辉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	8	73	6.0	8.0
2	赵家龙	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	1	11	1.0	1.0