Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响

• 作者: 刘明 张庆瑜 曲盛薇 魏玮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 缓冲层 退火处理 应力分析
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5736-5743
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.094

摘要

采用反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量,研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明,Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能,但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素,较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的,残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加,薄膜中的张应力增大,导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	45	494	12.0	20.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	魏玮	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	曲盛薇	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	23	2.0	3.0