微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究

• 作者: 俞育德 刘石勇 孔光临 张长沙 彭文博 徐艳月 曾湘波 石明吉 肖海波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 带隙态 界面相 微晶硅 调制光电流
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5716-5720
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.090

摘要

研究了氢化微晶硅薄膜费米能级以上的带隙态密度分布与薄膜微结构关系.采用拉曼谱和红外谱表征不同H稀释比制备的微晶硅薄膜的微结构.薄膜带隙态密度分布由调制光电流的相移分析技术测得.采用三相模型(非晶相、晶相和界面相)分析了薄膜带隙态密度与薄膜微结构的关系.结果表明,材料的带隙态密度随着界面相的增加而增加,当界面体积分数达到最大时,薄膜的带隙态密度也最大,即材料的带隙态密度与界面体积分数正相关.