影响InN材料带隙的几个关键问题

• 作者: 李炳乾 董少光
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: InN材料 带隙 Moss-Burstein效应 深能级 化学计量
• 年，卷（期）: 2009,（15）
• 所属期刊栏目: 新材料新技术
• 页码范围: 82-87
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 5036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.15.019

摘要

确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值.用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素.影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N:In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0
2	李炳乾	佛山科学技术学院光电子与物理学系	10	190	7.0	10.0