高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究

• 作者: 姚存峰 孙友梅 宋书建 张丽卿 张崇宏 李炳生 杨义涛 赵志明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电荷态离子 GaN晶体 原子力显微镜 表面形貌
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5578-5584
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.069

摘要

用不同电荷态的126Xeq+离子(9≤q≤30)在室温下轰击GaN晶体表面,经原子力显微镜分析表明,当q>18,辐照区域由隆起转为显著的刻蚀.被轰击后的GaN晶体表面形貌主要取决于入射离子的电荷态.同时,样品表面形貌还与入射离子的剂量和入射角有关;在实验参数范围,与入射离子的初动能没有明显关系(180 keV≤Ek≤600 keV).当入射离子的电荷态q=18,与样品表面法线成60°角倾斜入射和垂直表面入射时,样品的表面几乎没有变化,只是倾斜入射后有很微小的隆起;当q＜18时,样品表面膨胀隆起,粗糙度增强,倾斜入射时表面隆起比垂直入射时更明显,而且都有清晰的峰状分界区;当q＞18时,样品表面被蚀刻呈凹陷状,有明显的齿状刻痕,且侵蚀深度与离子剂量近似呈线性关系,倾斜入射时的刻蚀深度大于垂直入射时的刻蚀深度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙友梅	中国科学院近代物理研究所	31	115	7.0	9.0
2	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
3	赵志明	中国科学院近代物理研究所	8	46	3.0	6.0
4	李炳生	中国科学院近代物理研究所	18	66	5.0	7.0
5	姚存峰	中国科学院近代物理研究所	10	31	3.0	5.0
6	杨义涛	中国科学院近代物理研究所	27	72	5.0	7.0
7	张丽卿	中国科学院近代物理研究所	13	23	2.0	4.0
8	宋书建	中国科学院近代物理研究所	1	0	0.0	0.0