飞兆半导体带来一款FDZ197PZ

• 来源期刊: 轨道交通
• 学科: 工学
• 关键词: 飞兆半导体公司 MOSFET器件 RDS(ON) 便携式应用 CSP封装 智能电话 设计人员 外形尺寸
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 页码范围: 77
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

飞兆半导体公司（FarichildSemiconductor）最近为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS=4．5V时提供64mOhm之RDS（ON）值，较同类解决方案低15％，且占位面积仅为1mmx1．5mm，在提高效率之余。同时减少了电路板空间需求。该器件采用wL—CSP封装，比占位面积相似的传统塑料封装MOSFET具有更佳功耗和传导损耗特性。FDZ197PZ具有比其它的同级MOSFET器件更强大的静电放电（ESD）保护功能（4kV）．能够保护器件避免可能导致应用失效的ESD事件之应力影响。