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摘要:
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题.考虑了基极.发射极和集电极.发射极引线间的交叠电容,并从物理上区分了InP DHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻,建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性.
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文献信息
篇名 一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 InP双异质结双极晶体管 集电极电容 小信号模型 参数提取
年,卷(期) 2009,(12) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 8584-8590
页数 7页 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.072
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘新宇 中国科学院微电子研究所 141 717 13.0 18.0
2 吴德馨 中国科学院微电子研究所 58 345 11.0 14.0
3 葛霁 中国科学院微电子研究所 10 72 5.0 8.0
4 程伟 中国科学院微电子研究所 28 428 9.0 20.0
5 金智 中国科学院微电子研究所 30 92 5.0 8.0
6 苏永波 中国科学院微电子研究所 10 21 4.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
InP双异质结双极晶体管
集电极电容
小信号模型
参数提取
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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