高迁移率聚合物薄膜晶体管

• 作者: 刘玉荣 徐海红 王智欣 虞佳乐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 表面修饰
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 8566-8570
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.069

摘要

以高掺杂Si单晶片作为栅电极,热生长SiO_2作为栅介质层,聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层,Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性,在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管.结果表明,通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能,器件的场效应迁移率高达0.02 cm~2,(Vs),开关电流比大于10~5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学电子与信息学院	31	82	6.0	6.0
2	徐海红	华南理工大学应用物理系	4	11	2.0	3.0
3	王智欣	华南理工大学电子与信息学院	2	2	1.0	1.0
4	虞佳乐	华南理工大学电子与信息学院	2	2	1.0	1.0